高溫四探針測試儀可以實現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其他導電薄膜的方塊電阻。
 

　　那么高溫四探針測試儀的測量原理是什么呢？
 

　　測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容 -電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四探針法。
 

　　直排四探針法
 

　　經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。
 

　　采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測量度創(chuàng)造了有利條件。

　　目前雙電測組合(亦稱雙位組合)四探針法有三種模式：模式(1)，模式(2)，模式(3)，高溫四探針測試儀采用模式(2)，通過用計算機對三種模式的理論進行比較研究的結果表明：對無窮大被測片三種模式都一樣，可是測量小片或大片邊緣位置時，模式(2)更好，它能自動消除邊界影響，略優(yōu)于模式(3)，更好于模式(1)。
 

　　那么高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法有哪些優(yōu)勢呢？
 

　　1、采用雙電測組合四探針法進行測試，測試結果與探針間距無關，能夠消除間距不等及針尖機械游移變化的影響，因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭。
 

　　2、采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應的功能，對小尺寸被測片或探針在較大樣品邊緣附近時，不需要對樣品做幾何測量，也不必尋找修正因子。
 

　　3、采用雙電測組合四探針法，不移動四探針針頭，同時使用三種模式測量，即可計算得到測試部位的電阻均勻性。